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内存时序

内存性能参数中,主要关注的两个参数一个是内存时序,另一个是频率,可以稍微夸张点的说,内行看时序,外行看频率,倒不是说这两个参数哪个更重要,而是相对于内存频率,内存时序更难理解一些,更深入工作原理一些,今天就来一起看一下内存时序的小知识吧。

内存时序是描述内存条性能的一种参数,一般存储在内存条的SPD中。一般数字“A-B-C-D”分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”,它们的含义依次为:

CAS Latency(简称CL值)内存CAS延迟时间,它是内存的重要参数之一,某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上;

RAS-to-CAS Delay(tRCD),内存行地址传输到列地址的延迟时间;

RAS Precharge Delay(tRP),内存行地址选通脉冲预充电时间;

Row Active Delay(tRAS),内存行地址选通延迟。

这是购买内存最需要关注的4项时序调节,在大部分主板的BIOS中可以设定。

需要了解内存条时序的朋友注意了,我们现在就来讲讲内存条时序到底对内存条的性能有何影响。

1.CL:列寻址所需的时钟周期(表示延迟的长短)

确实是同频率下,CL值越小内存条性能越好。从DDR1-4随着内存条的频率越来越高,CL值也越来越大,但是其真实的CL延迟时间几乎没有什么变化。这说明并不是CL值越大,内存条的CL延迟就越大,内存条就越差。从DDR1-4 CL值越来越大,相反说明CL越大,能上去的频率越高。

我们来计算一下DDR1~4的CL延迟时间:乘2的原因是DDR内存一个时钟周期内传输两次数据,可以看做基数是2

DDR-400 3-3-3-8:3*2/400=15 ns

DDR2-800 6-6-6-18:6*2/800=15 ns

DDR3-1333 9-9-9-24:9*2/1333=13.5 ns

DDR4-2133 15-15-15-35:15*2/2133=14 ns

我们再来算算Crucial内存条的CL延迟时间(样本选用8G内存条):

DDR4-2400 16-16-16-39: 16*2/2400=13.3 ns

根据上面的计算,可以看出其实CL延迟时间差距不大,之所以每代产品性能比上代要好,是因为频率的提高,也就是说CL值接近时,内存频率越高性能越好,而在进行超频时,如果可以调高CL,就可以获得更高的频率。

2.tRCD:行寻址和列寻址时钟周期的差值。

tRCD值对内存最大频率影响最大。内存条想要上到一个高的频率,而如果不能加大电压和放宽CL值,那么就只能把tRCD值增大。现在的DDR4一般的1.2V,想要CL值好看,还想要内存条能超频到更高,那就加大tRCD咯,还想要灯光效果,那就把时序统统的加大。所以tRCD大不代表内存条差,相反代表内存条可以超到一个很高的频率。

3.tRP:在下一周期之前,预充电需要的时钟周期。

虽然tRP的影响会随着频繁操作一个bank而加大,但是它的影响也会被bank交叉操作和命令调配所削弱。放宽tRP有利于提高行址激活、关闭的命中率,正确率。放宽tRP可让内存条的兼容性更好。

4.tRAS:对某行的数据进行存储时,从操作开始到寻址结束需要的总时间周期。

此操作并不会频繁发生,只有在内存空闲或开始新一个任务的时候才使用它。tRAS值太小有可能导致数据错误或丢失,太大的值则会影响内存性能。如果内存条负荷较大,一般可以稍微放宽tRAS值。

不知道大家有没有注意,凡是OC内存条(超频厉害的内存条),灯条,它们的tRCD、tRP、tRAS一般都比较大。要超频厉害,要灯光效果,还要保持很好的兼容性,必须适当的调节时序。

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