内存时序

内存性能参数中，主要关注的两个参数一个是内存时序，另一个是频率，可以稍微夸张点的说，内行看时序，外行看频率，倒不是说这两个参数哪个更重要，而是相对于内存频率，内存时序更难理解一些，更深入工作原理一些，今天就来一起看一下内存时序的小知识吧。

内存时序是描述内存条性能的一种参数，一般存储在内存条的SPD中。一般数字“A-B-C-D”分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”，它们的含义依次为：

CAS Latency（简称CL值）内存CAS延迟时间，它是内存的重要参数之一，某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上;

RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间;

RAS Precharge Delay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间;

Row Active Delay（tRAS），内存行地址选通延迟。

这是购买内存最需要关注的4项时序调节，在大部分主板的BIOS中可以设定。

需要了解内存条时序的朋友注意了，我们现在就来讲讲内存条时序到底对内存条的性能有何影响。

确实是同频率下，CL值越小内存条性能越好。从DDR1-4随着内存条的频率越来越高，CL值也越来越大，但是其真实的CL延迟时间几乎没有什么变化。这说明并不是CL值越大，内存条的CL延迟就越大，内存条就越差。从DDR1-4 CL值越来越大，相反说明CL越大，能上去的频率越高。

我们来计算一下DDR1~4的CL延迟时间：乘2的原因是DDR内存一个时钟周期内传输两次数据，可以看做基数是2

DDR-400 3-3-3-8：3*2/400=15 ns

DDR2-800 6-6-6-18：6*2/800=15 ns

DDR3-1333 9-9-9-24：9*2/1333=13.5 ns

DDR4-2133 15-15-15-35：15*2/2133=14 ns

我们再来算算Crucial内存条的CL延迟时间（样本选用8G内存条）：

DDR4-2400 16-16-16-39: 16*2/2400=13.3 ns

tRCD值对内存最大频率影响最大。内存条想要上到一个高的频率，而如果不能加大电压和放宽CL值，那么就只能把tRCD值增大。现在的DDR4一般的1.2V，想要CL值好看，还想要内存条能超频到更高，那就加大tRCD咯，还想要灯光效果，那就把时序统统的加大。所以tRCD大不代表内存条差，相反代表内存条可以超到一个很高的频率。

虽然tRP的影响会随着频繁操作一个bank而加大，但是它的影响也会被bank交叉操作和命令调配所削弱。放宽tRP有利于提高行址激活、关闭的命中率，正确率。放宽tRP可让内存条的兼容性更好。

此操作并不会频繁发生，只有在内存空闲或开始新一个任务的时候才使用它。tRAS值太小有可能导致数据错误或丢失，太大的值则会影响内存性能。如果内存条负荷较大，一般可以稍微放宽tRAS值。

不知道大家有没有注意，凡是OC内存条（超频厉害的内存条），灯条，它们的tRCD、tRP、tRAS一般都比较大。要超频厉害，要灯光效果，还要保持很好的兼容性，必须适当的调节时序。