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什么是内存时序?

当谈论内存性能这个话题时,大多数人通常会想到内存模块速度。模块速度是衡量数据传输能力的标准,例如:DDR2 800MHz、DDR3 1600MHz 和 DDR4 2400MHz(或以 MT/s 为单位)。而时序确定内存响应操作执行请求的速度。

如果将内存想象为一辆赛车,模块速度 (MH/z) 就是发动机的原始马力,时序就是赛车的驾驶员。随着驾驶员能在赛场上越来越熟练地拐弯和应对障碍物,赛车就会行驶得快很多,因此,如果小马力赛车的驾驶员(时序)的驾驶技巧优于大马力赛车的驾驶员,小马力赛车会胜过大马力赛车。

内存的时序通常以数字形式显示;9-9-9-24 是通用 DDR3 内存的时序。下表显示了各种 DDR 内存的一些标准时序。

类型

CL

tRCD

tRP

tRAS

DDR2

5

5

5

15

DDR3

9

9

9

24

DDR4

16

16

16

不适用

时序通常细分为四个值: CAS 延迟 (CL)、行列延迟(tRCD)、行预充电时间 (tRP) 和行活动时间 (tRAS)。如果您发现上表中缺少 DDR4 的 tRAS 值,这是因为在采用新的内存技术后,这个值已合并到另一个数值中,因此它不再有意义。

CL

tRCD

tRP

tRAS

这些内存模块在收到内存控制器的请求后准备好数据所需的时间

在内存就绪后读取内存所需的时间

内存准备好新的行来使用数据所需的时间

行进入活动状态所需的最少时间,以确保可从行访问数据

广为人知的内存时序是 CAS 延迟。这个值通常是性能的代名词,但有时可能具有误导性。大多数人都认为 CAS 延迟越低越好,因为这个值代表着内存快速响应新信息的能力。这并不完全正确,因为新型内存的 CAS 延迟通常大大高于旧式内存。

为什么新型内存的延迟时间更短? 除了不同的时序,还有一个称为“时钟周期时间”的属性。这个衡量标准反映内存可以多快准备好来处理新的命令集。DDR4 等新型内存的时钟周期时间比旧式内存快很多,这意味着真实延迟(实际速度)快很多,如下图所示。若想详细了解速度与延迟的关系,请 阅读深入分析这方面的文章

技术

模块速度 (MT/s)

时钟周期时间 (ns)

CAS 延迟 (CL)

真实延迟 (ns)

SDR

10E

8.00

3

24.00

SDR

133

7.50

3

22.50

DDR

335

6.00

2.5

15.00

DDR

40B

5.00

3

15.00

DDR2

667

3.00

5    

15.00

DDR2

800

2.50

6

15.00

DDR3

1333

1.50

9

13.5

DDR3

160B

1.25

11

13.75

DDR4

1866

1.07

13

13.93

DDR4

2133

0.94

15

14.06

DDR4

2400

0.83

17

14.17

DDR4

2666

0.75

18

13.50

在大多数情况下,您无需担心内存时序问题。只要购买 Crucial® 英睿达 Advisor™ 判断为兼容您的计算机的内存,您就可以确信您的内存能在您的系统中运行。例外情况是,为定制系统购买高性能 Ballistix® 铂胜内存时。某些 CPU 只能支持一定程度的内存速度和延迟,因此,在将 CPU 与任何高端内存配合使用之前,最好检查一下 CPU 能支持的最高内存速度。如果您有任何其他问题,请务必联系

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