什么是内存时序？

当谈论内存性能这个话题时，大多数人通常会想到内存模块速度。模块速度是衡量数据传输能力的标准，例如：DDR2 800MHz、DDR3 1600MHz 和 DDR4 2400MHz（或以 MT/s 为单位）。而时序则确定内存响应操作执行请求的速度。

内存的时序通常以数字形式显示；9-9-9-24 是通用 DDR3 内存的时序。下表显示了各种 DDR 内存的部分标准时序。

时序通常细分为四个值：CAS 延迟 (CL)、行列延迟 (tRCD)、行预充电时间 (tRP) 和行活动时间 (tRAS)。如果您发现上表中缺少 DDR4 的 tRAS 值，这是因为在采用新的内存技术后，这个值已合并到另一个数值中，因此它就不再有意义。

广为人知的内存时序是 CAS 延迟。这个值通常是性能的代名词，但有时可能会误导。大多数人都认为 CAS 延迟越低越好，因为这个值代表着内存快速响应新信息的能力。 这并不完全正确，因为新型内存的 CAS 延迟通常大大高于旧式内存。 

为什么新型内存的延迟时间更短？除了不同的时序，还有一个称为“时钟周期时间”的属性。这个衡量标准反映内存可以多快准备好来处理新的命令集。DDR4 等新型内存的时钟周期时间比旧式内存快很多，这就意味着真实延迟（实际速度）快很多，如下图所示。如需详细了解速度与延迟的关系，请阅读这篇深度解析文章。

大多数情况下，您无需担心内存时序问题。只要购买 Crucial® 英睿达 Advisor™ 工具或 System Scanner 工具判断为兼容计算机的内存，您就可以确信您的内存可以在您的系统中运行。例外情况是，为定制系统购买高性能 Ballistix® 铂胜内存时。某些 CPU 只能支持一定程度的内存速度和延迟，因此，在将 CPU 与任何高端内存配合使用之前，最好检查一下 CPU 能支持的内存速度上限。如果您有任何其他问题，请务必联系 Crucial 英睿达支持。